| 专利号 | 2021106639682 | 申请日 | 2021-06-16 | 专利名称 | 一种中空结构的Ni-Co-S纳米多面体材料及其制备与应用 |
| 授权日 | 2023-01-10 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 徐锡金;李娜;渠广猛;张习习;赵顺顺 |
| 主分类号 | C01G53/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体材料及其制备与应用，其中所述制备包括以ZIF‑67的Ni‑Co双金属氢氧化物的前驱体为原料，经硫化制得中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体的过程，其制备成本低、可简单便捷的制备出中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体。所得中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体材料具有良好的导电性及比电容保持率，特别适于用作自支撑电极材料。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
