| 专利号 | 2018104667050 | 申请日 | 2018-05-16 | 专利名称 | 一种低电阻率n型氧化亚铜薄膜的真空制备方法 |
| 授权日 | 2019-12-27 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 冯先进;许萌;刘晓辉 |
| 主分类号 | C23C14/08 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种低电阻率n型氧化亚铜薄膜的真空制备方法，包括：(1)清洗衬底；(2)在所述衬底上生长Cu2O薄膜；(3)使用氮(N)等离子体处理步骤(2)得到的Cu2O薄膜。使用氮(N)等离子体处理Cu2O薄膜，制备工艺简单、稳定；通过探索和优化工艺参数，实现了对薄膜结构、光学和电学性质的调控和优化，制备出了低电阻率的n型Cu2O薄膜。本发明电阻率低至20.47Ω·cm，迁移率高达3.76cm2/Vs，薄膜的光学禁带宽度为2.55eV，在太阳能电池中具备了广泛的应用前景。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进有色金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
