| 专利号 | 201710256364X | 申请日 | 2017-04-19 | 专利名称 | 一种制备纳米SiC、Yb增强A356.2合金的方法 |
| 授权日 | 2018-05-01 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 张少辰;冷金凤;周庆波;王志斌;夏昌鹏;王康 |
| 主分类号 | C22C1/10 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备纳米SiC、Yb增强A356.2合金的方法，包括以下步骤：以纳米级的SiC为颗粒增强体，经过超高温氧化处理后，再采用纳米磁控溅射设备，将高纯金属Ti均匀的包裹在氧化处理后的SiC颗粒表面；采用高纯重稀土变质和连续超声辅助熔炼，进一步提高铸造质量。本发明采用自主研发电阻炉支架为辅助设备，使得SiC颗粒处于悬浮状态就得以浇注。此制备方法简单、成本较低，生产周期短，绿色无毒且铸件具有较高的性能，产业化前景良好。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进有色金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
