| 专利号 | 2021111916825 | 申请日 | 2021-10-13 | 专利名称 | 高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器冗余驱动脉冲剔除调制 |
| 授权日 | 2024-01-12 | 专利权人 | 中国石油大学(华东) | 发明人 | 严庆增;张鑫诚;赵天润;陈皓明;邢成建;徐海亮;赵仁德 |
| 主分类号 | H02M7/483 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种用于高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器的冗余驱动脉冲剔除调制方法，高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器主电路的输出电流通过二阶巴特沃斯低通滤波器，滤除高频电流谐波，得到滤波后的电流；滤波后的电流和调制波输入域划分模块，获得区间号。同时，上、中、下载波和调制波输入原始驱动脉冲产生模块，获得六路原始驱动信号，并输入到冗余脉冲剔除模块，获得六路剔除冗余脉冲的驱动信号。本发明的高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器的冗余驱动脉冲剔除调制方法，不需要加入死区，可以完全避免死区效应，降低了输出电流谐波、减小了驱动电路的损耗。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 太阳能产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
