| 专利号 | 2021112486538 | 申请日 | 2021-10-26 | 专利名称 | 一种硅基氮化镓器件的近结散热方法 |
| 授权日 | 2022-11-29 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 刘超;陈航 |
| 主分类号 | H01L23/473 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种硅基氮化镓器件的近结散热方法，包括步骤：对生长在硅衬底上的GaN层Ⅰ和硅衬底进行刻蚀，在GaN层Ⅰ上形成平行排列的V形缺口，每个V形缺口的底部设置有狭缝，所述狭缝垂直延伸至硅衬底内部；利用XeF2对硅衬底内部的狭缝进行进一步刻蚀，形成冷却通道；继续在GaN层Ⅰ上外延生长GaN层Ⅱ和功能层；对硅衬底背面进行刻蚀形成若干个矩形凹槽a和若干个矩形凹槽b，矩形凹槽a和矩形凹槽b交替周期排列；之后与载片键合，在载片底部设置冷却液的进口和出口；向冷却通道中注入冷却液，实现硅基氮化镓器件的散热。本发明的方法在近结区域附近引入高热导率的冷却液，有效解决了硅基氮化镓器件的散热问题。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
