| 专利号 | 2020113721973 | 申请日 | 2020-11-30 | 专利名称 | 提升卤化亚汞单晶体结晶性和光学透过率的处理方法 |
| 授权日 | 2022-07-26 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 张国栋;刘琳;李荣臻;陶绪堂 |
| 主分类号 | C30B33/02 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种提升卤化亚汞单晶体结晶性和光学透过率的处理方法，它包括将卤化亚汞单晶体置于多温区真空退火炉中，升温至150‑180℃进行退火处理90‑120h；退火处理后的卤化亚汞单晶体缓慢降至室温，退火后处理卤化亚汞晶体的X射线单晶摇摆曲线半峰宽明显减小，晶体结晶性得到很大提高，晶体缺陷得到一定程度的消除，并且通过退火后处理，遇光暗化卤化亚汞晶体的光学透过率得到恢复，晶体透过率明显提升。并且该方法对温度要求较低，具有简单方便、易操控的优点。采用该方法可获得结晶性、光学透过率高的卤化亚汞晶体，这对于卤化亚汞晶体声光器件的制备及应用具有重要意义。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
