| 专利号 | 2021112884484 | 申请日 | 2021-11-02 | 专利名称 | 一种调控腔体压强制备高质量单晶畴二维材料的方法 |
| 授权日 | 2022-08-30 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 孙丽;王鹏;张雪;国星;于法鹏;李妍璐;赵显 |
| 主分类号 | C30B29/64 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于二维材料的制备技术领域，具体涉及一种调控腔体压强制备高质量单晶畴二维材料的方法，包括：将衬底置于反应炉腔内进行真空清洗；然后，通入载流气体，调节炉腔压强为低压，升温至前驱体分解温度；接着，通入反应气体，保持腔体压强为低压，进行二维材料的形核与初步横向生长；之后，将腔体压强调高至常压进行快速生长，再将腔体压强调低，稳定生长；最后，在载流气体氛围下降温，得到具有规则形貌的大尺寸单晶畴二维材料。通过在生长阶段调节腔体压强，改善CVD系统中的组分运输，加强物质间的相互作用，进而获得高质量、大尺寸单晶畴二维材料。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
