| 专利号 | 2023109583921 | 申请日 | 2023-08-01 | 专利名称 | 磁通聚集器及制造方法、磁传感芯片 |
| 授权日 | 2024-05-31 | 专利权人 | 北京航空航天大学青岛研究院 | 发明人 | 李云鹏;牟倩倩;朱大鹏;赵巍胜;张丹丹;罗天任;夏清涛 |
| 主分类号 | G01R33/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及磁传感技术领域，提供一种磁通聚集器及制造方法、磁传感芯片。所述磁通聚集器包括设置在衬底上的第一金属薄膜和第二金属薄膜，第一金属薄膜与第二金属薄膜对称设置，第一金属薄膜的第一侧与第二金属薄膜的第一侧相互靠近，第一金属薄膜的第二侧与第二金属薄膜的第二侧相互远离，第一金属薄膜的第一侧与第二金属薄膜的第一侧之间具有容纳磁传感单元的空气间隙，第一金属薄膜的第二侧的薄膜厚度是第一金属薄膜的第一侧的薄膜厚度的N倍，第二金属薄膜的第二侧的薄膜厚度是第二金属薄膜的第一侧的薄膜厚度的N倍。本发明增强了磁通聚集效果，可减少磁通聚集器占用磁传感芯片的面积，利于磁传感芯片的小型化。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 智能电网产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
