| 专利号 | 2020106011240 | 申请日 | 2020-06-29 | 专利名称 | 一种全共价键石墨烯场效应晶体管及其构筑方法 |
| 授权日 | 2022-08-23 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 张丛丛;刘宏;孙铭远;王建 |
| 主分类号 | H01L21/04 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种全共价键石墨烯场效应晶体管及其构筑方法，所述方法为：处理基底后，在基底上负载APTMS/GO层和TPPNH2/GO层，对其进行掩膜刻蚀从而阵列化，然后再负载一层APTMS/GO层，通过一步退火得到全共价键石墨烯场效应晶体管。本发明中全共价键石墨烯场效应晶体管的电极与半导体之间通过稳定的化学键相连接，极大的降低了电极与半导体之间电荷的注入势垒，大大提高了器件的溶剂稳定性和电学稳定性。使用TPPNH2这种表面带有大量离域电子云的大π体系化合物作为偶联剂，沿着其分子骨架构筑了良好的载流子注入与传输通道，从而提高了发明的全共价键石墨烯场效应晶体管的电学性能。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
