| 专利号 | 2021101248536 | 申请日 | 2021-01-29 | 专利名称 | 一种可调控击穿场强的高压电缆 |
| 授权日 | 2022-05-17 | 专利权人 | 青岛科技大学 | 发明人 | 李国倡;魏艳慧;杨晶晶;顾振鲁;郝春成;雷清泉 |
| 主分类号 | H01B7/02 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种可调控击穿场强的高压电缆，包括线芯和绝缘层，线芯和绝缘层之间不设置内半导电屏蔽层，绝缘层的内界区域具有第一纳孔结构，第一纳孔结构中的纳孔延伸方向垂直于电缆延伸方向。本申请提供的高压电缆，不设置内半导电屏蔽层，而绝缘层上与线芯相对的内界面具有纳米级孔径的纳孔结构，纳孔结构能够有效阻止放电的发生，从而大幅度提高电缆的耐击穿场强，提升电缆的电压等级。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 智能电网产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
