| 专利号 | 2023108607524 | 申请日 | 2023-07-14 | 专利名称 | 碲化镓微纳结构及其异质结的制备方法 |
| 授权日 | 2024-05-24 | 专利权人 | 青岛科技大学 | 发明人 | 付博;王海婷;于志鸿;张栩朝;汪倩文;高树静 |
| 主分类号 | H01L21/205 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体材料制备领域，针对缺少高密度条带状GaTe微纳结构的不足，提供一种碲化镓微纳结构及其异质结的制备方法。将镓化合物单晶衬底放置于石英舟中并置于化学气相沉积炉的下游温区；将碲粉放置于石英舟中并置于化学气相沉积炉的上游温区；对化学气相沉积炉抽真空；上下游温区同时升温，上游温区升温至500℃，下游温区升温至800℃；待上游温区升温至500℃，恒温，通入载气，气压到达常压后，恒定载气的流量，反应4～8h；反应结束后，停止通气体，关闭电源，冷却。该方法基于高温原位Te化处理技术，在n型Ga源单晶衬底的表面生长了高密度条带状p型GaTe微纳结构，构建了垂直结构的异质p‑n结。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
