| 专利号 | 2024110155962 | 申请日 | 2024-07-26 | 专利名称 | 一种基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法 |
| 授权日 | 2025-03-21 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 孙洵;柏建宇;徐明霞;刘宝安 |
| 主分类号 | G06F30/20 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法，涉及晶体生长数值模拟技术领域，包括：建立晶体生长槽物理几何模型，对物理几何模型进行网格划分后，导入至Fluent仿真软件；基于用户自定义标量方程UDS，耦合流体湍流、能量方程，建立KDP晶体生长系统溶质传输方程；基于KDP晶体表面溶质反应边界条件，编写用户自定义函数UDF，并基于用户自定义存储UDM，存储KDP溶液平衡浓度，挂载平衡浓度随温度变化的自定义函数，以此构造晶体表面生长速率自洽函数；耦合所建立的方程及函数，建立KDP晶体生长系统的数学模型，设置数学模型的计算域条件及边界条件，计算求解得到KDP晶体生长系统的过饱和度分布。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 新兴软件和新型信息技术服务 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
