一种室温铁磁半导体材料MnSiP<Sub>2</Sub>及其制备方法和应用

专利号	2016105907476	申请日	2016-07-25	专利名称	一种室温铁磁半导体材料MnSiP₂及其制备方法和应用
授权日	2018-05-04	专利权人	山东大学	发明人	王善朋;陶绪堂;张翔;于童童
主分类号	H01F1/40	关键词		应用领域
摘要	一种室温铁磁半导体材料MnSiP₂及其制备方法和应用，该MnSiP₂磁性半导体材料属于四方晶系，I‑42d空间群，晶胞参数为：a＝5.5823(3),Z＝4。制备方法包括以下步骤：(1)将Mn、Si和P一起研磨均匀，装入石英管内，抽真空后封烧石英管；(2)将石英管采用阶段性升温，再缓慢降温至室温；(3)取出结晶较好的料块，清洗干净，干燥处理，得到室温铁磁半导体材料MnSiP₂。本发明首次合成了黄铜矿结构的MnSiP₂磁性半导体材料，其居里温度为290K，可应用于制作自旋场效应晶体管、自旋发光二极管、自旋共振磁隧道结、光隔离器、磁传感器或非挥发存储器。
创新点
技术分类		标签		战兴产业	新材料产业先进有色金属材料
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