| 专利号 | 2020103770634 | 申请日 | 2020-05-07 | 专利名称 | 基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法及应用 |
| 授权日 | 2021-11-19 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 何涛;陶绪堂 |
| 主分类号 | H01L51/48 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了基于n‑型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法及应用。其修复方法为：采用掺杂剂对将n‑型有机半导体晶体进行化学掺杂，所述掺杂剂为有机胺，所述有机胺的化学结构式如下： |
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| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 太阳能产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
