| 专利号 | 2022114854280 | 申请日 | 2022-11-24 | 专利名称 | 一种AlN单晶生长过程中低埚位防沉积的方法 |
| 授权日 | 2024-10-22 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 王国栋;曹文豪;张雷;俞瑞仙;王守志;徐现刚 |
| 主分类号 | C30B23/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于氮化铝晶体生长技术领域，具体涉及一种AlN单晶生长过程中低埚位防沉积的方法。本发明通过温场模拟设计了与坩埚尺寸相匹配的钨锥，所述钨锥由下方的圆柱部件和上方的圆台部件构成，所述圆柱部件底部半径与所述圆台部件的底部半径相同；所述钨锥高度为坩埚高度的2/5‑3/5，所述圆柱部件高度为坩埚高度的1/5‑1/4。将钨锥设置在坩埚底部中心位置，并将AlN原料填充于钨锥与坩埚之间，避免坩埚底部中心温度相对较低的区域与AlN粉料相接触，防止底部原料在坩埚底部中心位置沉积，使得坩埚便于清理，减少了原料浪费；本发明通过上述方法使得AlN原料放置于坩埚内部的高温区内，提高了原料的利用率。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
