| 专利号 | 2020110454631 | 申请日 | 2020-09-29 | 专利名称 | 一种KH2PO4晶体{101}晶面产生清晰位错蚀坑的方法 |
| 授权日 | 2024-12-06 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 王圣来;徐龙云;余波;刘慧;张力元;王波 |
| 主分类号 | G01N1/32 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种KH2PO4晶体{101}晶面产生清晰位错蚀坑的方法，属于晶体表征技术领域。切割得到KDP晶面样品，对样品正反面进行抛光备用。配置74％～76％含水量的水‑乙醇混合溶液作为晶体腐蚀液，室温下将晶体样品置于该腐蚀液中并保持10～20s，取出后使用该腐蚀液对晶体表面抛光2～4s，抛光机转速设置在120～200r/min，将晶体表面的溶液擦拭干净并烘干，在光学显微镜和3D激光共聚焦显微镜下观察处理好的晶体表面，得到清晰的位错蚀坑照片。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 相关服务业 新技术与创新创业服务 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
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