| 专利号 | 2017110328514 | 申请日 | 2017-10-30 | 专利名称 | 带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 |
| 授权日 | 2020-04-14 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 张春伟;岳文静;李阳;付小倩;李志明 |
| 主分类号 | H01L29/40 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区，在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板，相邻两个可调型场板之间间隔设定距离；每一个可调型场板均连接调节电容；通过调节可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸，能够调节可调型场板上的感应电荷量和感应电位，使得漂移区内获得均匀的表面横向电场分布。该结构器件可以改善器件漂移区表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力和很小的导通电阻。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
