| 专利号 | 2022109142163 | 申请日 | 2022-08-01 | 专利名称 | 二维SiP2和h-BN复合结构光电晶体管及制备方法 |
| 授权日 | 2024-08-23 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 王善朋;王子明;陶绪堂 |
| 主分类号 | H01L31/032 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 一种二维SiP2和h‑BN复合结构光电晶体管及制备方法，该复合结构光电晶体管以二维材料SiP2作为沟道材料，在二维SiP2沟道的底面插入h‑BN，并采用硅作为衬底，SiO2作为栅介质层，对硅施加栅压进而调控暗电流；其制备方法包括以下步骤：(1)将h‑BN纳米薄膜转移到硅衬底上；(2)将SiP2纳米薄膜定点转移至已置于硅衬底上的h‑BN纳米薄膜表面；(3)将硅衬底表面均匀旋涂光刻胶，制备底电极的图形；(4)对底电极的图形进行定位曝光，然后进行显影,暴露出需要蒸镀电极部分；(5)制备金属电极。本发明利用h‑BN作为衬底减少SiP2表面的缺陷，降低电荷散射，提高光电流，能够获得高的探测率，实现高灵敏的特性。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 太阳能产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
