| 专利号 | 2024116165648 | 申请日 | 2024-11-13 | 专利名称 | 一种降低MgGa2O4微波介质陶瓷烧结温度的方法 |
| 授权日 | 2025-02-07 | 专利权人 | 山东理工大学 | 发明人 | 王成龙;任路超;张梓鑫;郎兆丁;邵鹏超;李瑞航;王靖文;张明伟 |
| 主分类号 | C04B35/01 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种降低MgGa2O4微波介质陶瓷烧结温度的方法，该方法包括两个步骤：（1）采用(Li0.5Bi0.5)2+复合离子对MgGa2O4进行A位掺杂，（2）在氧化铝承烧坩埚中内铺BaCu(B2O5)与LiF混合料，在1000~1250℃烧结，形成助烧气氛。通过上述方法可将MgGa2O4微波介质陶瓷的烧结温度从传统的1400℃以上降低至1000~1250℃。采用此方法制备的MgGa2O4微波介质陶瓷的相对密度＞95%，在14~16 GHz频率下测得材料介电常数为6.5~9.5；Q×f值60000~130000GHz；谐振频率温度系数为‑78~‑10ppm/℃。所述的一种降低MgGa2O4微波介质陶瓷烧结温度的方法有望成为新一代电子通讯、绿色加工、环境保护等领域的关键制备工艺。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
