| 专利号 | 2020101179584 | 申请日 | 2020-02-17 | 专利名称 | 一种具有图形化结构的半导体激光器热沉及其制造方法 |
| 授权日 | 2025-03-07 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 蒋锴;李星宇;孙旺根;夏伟;唐文婧 |
| 主分类号 | H01S5/024 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 一种具有图形化结构的半导体激光器热沉及其制造方法，通过在基体上下表面预先制备了立体图形结构阵列，大幅增加了基体材料的表面积和表面化学键能，提高了与基体材料接触的功能层、过渡金属层I及过渡金属层II的粘附性的粘附性，通过在立体图形结构阵列上制造功能层，有效的结合基体材料和功能层材料热导率或热膨胀系数各自特点，调节符合材料整体的热导率或热膨胀系数，保证与半导体激光器材料本身热失配小的前提下降低热沉材料的热阻，提高散热性能，保证了激光器光电性能和可靠性。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
