| 专利号 | 2020106929977 | 申请日 | 2020-07-17 | 专利名称 | 一种抗辐照粒子探测器 |
| 授权日 | 2021-04-13 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 张亮;王萌;董家宁;王安庆;李龙 |
| 主分类号 | H01L27/146 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种抗辐照粒子探测器，具备四阱工艺，分别是N阱、P阱、深N阱和深P隔离层，像素单元和读出电路均在深度掺杂的P型衬底上制作。其中，深N阱和P型衬底用来产生P‑N灵敏二极管，深N阱上的N阱和N型有源区(N+)构成通路，通过金属线连接其他读出电路。深P隔离层用来隔离深N阱内的器件，避免了PMOS晶体管与灵敏二极管之间的电荷竞争，在深P隔离层内可同时制作PMOS和NMOS管，能够实现复杂CMOS电路，这有助于在像素内实现复杂电路，对像素信号进行放大和降噪处理。N阱和P型有源区(P+)用于制作PMOS晶体管，P阱和N型有源区(N+)用于制作NMOS管。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
