| 专利号 | 2025105311471 | 申请日 | 2025-04-25 | 专利名称 | 一种(AlxGa1-x)2O3薄膜原位退火装置及方法 |
| 授权日 | 2025-11-04 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 李阳;岳林凯;徐梦凡;张百涛 |
| 主分类号 | C23C14/58 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体薄膜材料制造技术领域，尤其涉及一种(AlxGa1‑x)2O3薄膜原位退火装置及方法。原位退火装置包括沉积腔室和退火组件；所述沉积腔室内设置有靶台和底托，所述靶台和底托之间具有设定间隙；所述退火组件包括转轴、前加热盘和挡板，所述转轴转动安装在沉积腔室上，所述前加热盘和挡板安装在转轴内端的不同圆周角度上，且前加热盘和挡板位于所述靶台和底托之间，所述转轴为中空管，所述前加热盘上开设有出气孔，所述中空管与出气孔连通用于向沉积腔室内通入惰性气体。通过本发明实现原位退火，避免薄膜转移过程中的污染，并提高退火时的受热均匀性，从而减少薄膜缺陷，提高薄膜质量。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进有色金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
