| 专利号 | 2023110403101 | 申请日 | 2023-08-17 | 专利名称 | 一种低损耗的碳化硅晶锭激光切片方法 |
| 授权日 | 2025-12-02 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 聂鸿坤;白蒙;姚勇平;王荣堃;陈秋;梁润泽;夏金宝;张百涛;何京良;徐现刚 |
| 主分类号 | B23K26/38 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低损耗的碳化硅晶锭激光切片方法，涉及激光制造和半导体技术领域。包括第一次扫描：设置脉冲激光的能量处于第一设定能量，使SiC晶锭内部焦点处形成第一类凹坑，并使第一类凹坑周围产生裂纹，使激光在SiC晶锭内部形成改质层；第二次扫描：设置脉冲激光的能量处于第二设定能量，使SiC晶锭内部焦点处形成第二类凹坑，同时如果焦点附近存在第一次扫描形成的裂纹，可使裂纹进一步拓展，如果焦点附近不存在第一次扫描形成的裂纹，则不会产生新的裂纹；形成均匀的改质层。本发明通过脉冲激光二次扫描以降低激光切片材料损耗、提高切片效率，避免单次激光扫描由碳化硅晶锭光学不均匀性导致部分区域无法有效形成改质层和部分区域改质层过深问题。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 高端装备制造 智能制造装备产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
