| 专利号 | 2021116776775 | 申请日 | 2021-12-31 | 专利名称 | 一种高调制带宽的垂直腔面发射激光器 |
| 授权日 | 2023-06-06 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 李剑伟;李洵 |
| 主分类号 | H01S5/183 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高调制带宽的垂直腔面发射激光器,由下到上分别为衬底层、下DBR层、有源区、氧化限制层、上DBR层以及最上端的P型电极,下DBR层上还敷设有N型电极,有源区由应变量子阱和势垒层构成,应变量子阱的生长晶向为衬底层的(110)方向。本发明所公开的垂直腔面发射激光器选择(110)方向生长应变量子阱,可以加剧重空穴带和轻空穴带之间的分裂,使得应变量子阱价带的有效质量最小,降低导带和价带结构的不对称性,从而降低激光器激射时所需要的反转粒子数,进而在较低的载流子注入时,可以使得有源区的微分增益显著提高;从而提高垂直腔面发射激光器器件的调制带宽和调制速率,使其具有更加优异的高速直调性能。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术  电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||