| 专利号 | 2025109549652 | 申请日 | 2025-07-11 | 专利名称 | 一种6N级高纯碳化硅粉体的制备方法 |
| 授权日 | 2025-09-02 | 专利权人 | 山东理工大学 | 发明人 | 孙海滨;郭学;李文杰;张伟;胡强强;冯玉润 |
| 主分类号 | C01B32/977 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于先进陶瓷材料技术领域，具体公开了一种6N级高纯碳化硅粉体的制备方法，该方法包括以下步骤：步骤S1、配料；步骤S2、声共振混合；步骤S3、高温热解与煅烧；步骤S4、酸洗纯化与洗涤；步骤S5、真空震荡干燥。本发明采用上述一种6N级高纯碳化硅粉体的制备方法，该制备方法解决了传统工艺均匀性差、效率低、能耗高的问题；通过该方法可得到纯度≥99.9999%的碳化硅粉体，制备出的碳化硅粉体纯度高、分散性好，适用于半导体、新能源等高端领域。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
