| 专利号 | 2021107888790 | 申请日 | 2021-07-13 | 专利名称 | 一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法 |
| 授权日 | 2022-04-05 | 专利权人 | 齐鲁工业大学 | 发明人 | 俞娇仙 |
| 主分类号 | H01L51/56 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法。本发明采用不同类型的GaN半导体材料作为钙钛矿发光二极管的电子传输层。另外二维GaN量子尺寸效应明显，呈现较好的导电特性。随二维GaN层数的增加，对光的反射特性越来越好。多孔结构的GaN可以与钙钛矿材料充分接触，保证最大程度的光生电荷分离和电荷注入的发生。因此，GaN材料作为发光二极管的电子传输层能够提高器件的量子效率，是合适的选择。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
