| 专利号 | 2024117946796 | 申请日 | 2024-12-09 | 专利名称 | 一种通过激光退火改善SiC晶锭激光切片表面粗糙度的方法 |
| 授权日 | 2026-01-02 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 陈秀芳;车林林;王荣堃;谢雪健;杨祥龙;徐现刚 |
| 主分类号 | B23K26/38 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种通过激光退火改善SiC晶锭激光切片表面粗糙度的方法。是先通过激光剥离的方式将SiC晶片从SiC晶锭上剥离，再利用激光在剥离后SiC晶片的表面形成退火层，最后将退火后SiC晶片的光滑面贴上UV膜放入减薄机中进行减薄，完成SiC晶锭激光切片。本发明所提供改善SiC晶锭激光切片表面粗糙度的方法利用了特定波长的激光，在剥离之后的SiC晶片表面形成退火层，降低了SiC晶片表面的粗糙度、降低了SiC晶片表面区域的强度，并且能够减少SiC晶片剥离后的隐藏在SiC晶片刀痕缝隙中的碎渣，SiC晶片在后续的减薄中的砂轮成本降低，也降低了SiC晶片的裂片率。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 高端装备制造 智能制造装备产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
