| 专利号 | 2023116235608 | 申请日 | 2023-11-30 | 专利名称 | 一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法 |
| 授权日 | 2024-08-02 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 钟宇;苑登文;韩吉胜;汉多科·林纳威赫 |
| 主分类号 | H01L21/3213 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法，属于微电子制作技术领域。方法步骤为：S1：在碳化硅衬底上沉积双层所需金属；S2：在金属层上旋涂光刻胶，制备光刻胶阻挡层；S3：对上层金属进行湿法刻蚀，形成上层金属沟槽；S4：纯氧等离子体干法去除光刻胶阻挡层；S5：采用等离子体化学气相沉积方式生长氧化层；S6：以步骤S2相同图形进行套刻，形成新的光刻胶阻挡层；S7：对下层金属进行干法刻蚀；S8：去除表面光刻胶阻挡层。本发明简单易操作，在降低生产成本的前提下，使得金属刻蚀精度稳定，减小线宽损失，既不进一步放大湿法腐蚀造成的不良影响，也能提高金属层与基底界面质量，获得良好的刻蚀形貌，减小漏电，从而提高器件电学性能。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
