| 专利号 | 2022116894564 | 申请日 | 2022-12-27 | 专利名称 | 一种降低AlN晶体生长粉料杂质含量的方法 |
| 授权日 | 2024-09-20 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 张雷;曹文豪;王国栋;王守志;俞娇仙;刘光霞;陈成敏;徐现刚 |
| 主分类号 | C30B35/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种降低AlN晶体生长粉料杂质含量的方法，本发明在AlN原料中特定掺入部分钨元素，控制烧结温度和烧结时间进行两次烧结，形成细丝状的化合物，沉积在粉料源下方，从而降低AlN粉料整体的杂质含量，通过这种方法烧结出的AlN原料的杂质含量能够下降3‑5个数量级，在很大程度上提高了晶锭质量；粉料源中的碳氧杂质极大降低，从而起到有效降低原料中的碳氧杂质的作用，得到原料，碳氧元素明显降低，原料更加金黄透亮，内部和外部的杂质和缺陷也会肉眼可见的降低。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
