| 专利号 | 2024105590140 | 申请日 | 2024-05-08 | 专利名称 | 基于GaN HEMT结终端的SiC肖特基二极管 |
| 授权日 | 2024-08-06 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔鹏;代嘉铖;韩吉胜;汉多科·林纳威赫;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L29/872 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种基于GaN HEMT结终端的SiC肖特基二极管，涉及微电子技术领域，包括SiC衬底，以及制备在SiC衬底上的由GaN缓冲层、第二AlN插层、AlGaN势垒层和GaN帽层构成的GaN HEMT结终端，由SiC衬底、n+‑SiC缓冲层、n‑SiC层、第一Ni电极、第二Ni电极、Au电极和SiO2钝化层构成的肖特基二极管。采用AlGaN/GaN作为结终端，有效平衡结终端的电场，降低边缘峰值电场，提高器件击穿电压，同时还具有工艺流程简单，制备成本低，提高SiC SBD击穿电压可靠性的优势。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
