| 专利号 | 2016103894895 | 申请日 | 2016-06-04 | 专利名称 | 一种偏轴衬底用SiC晶体的生长及高电学均匀性的N型SiC衬底的制备方法 |
| 授权日 | 2018-06-19 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 彭燕;徐现刚;陈秀芳;胡小波 |
| 主分类号 | C30B23/02 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种偏轴衬底用SiC晶体的生长及高电学均匀性的N型SiC衬底的制备方法。采用偏向SiC籽晶，利用非对称粘结籽晶的方式控制其小面生长的机制，通过气氛导流板获得比标准直径可增大20mmSiC单晶材料。进行非对称性的滚圆工作，获得无小面的SiC单晶材料。通过本方面的方法可获得低缺陷密度、电学偏差在3.5％以下的N型SiC单晶衬底材料。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
