| 专利号 | 2019110349401 | 申请日 | 2019-10-29 | 专利名称 | 一种基于碳球负载二硫化钼掺杂铜铑双金属构建的电化学免疫传感器的制备及应用 |
| 授权日 | 2021-10-26 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 鞠熀先;丁慧;魏琴;贾洪英;邵明月;范大伟;孙旭;曹伟;王雪莹;匡轩 |
| 主分类号 | G01N27/327 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于碳球负载二硫化钼掺杂铜铑双金属构建的免疫传感器的制备及应用，属于纳米材料和电化学分析技术领域。采用铜铑双金属改性的碳球负载二硫化钼制备电化学免疫传感器，用于降钙素原的灵敏检测。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 前沿新材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
