| 专利号 | 2018110459905 | 申请日 | 2018-09-07 | 专利名称 | 一种高电活性修饰电极的应用 |
| 授权日 | 2020-06-26 | 专利权人 | 鲁东大学 | 发明人 | 袁柏青;徐春荧;张少华;金娟;牛余忠;陈厚;柏良久 |
| 主分类号 | G01N27/327 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高电活性修饰电极的应用。高电活性修饰电极的制备方法步骤包括：首先在预先处理的玻碳电极上修饰有序介孔碳CMK‑3薄膜，再修饰全氟化酞菁钴分子层，得到高电活性修饰电极CoPcF16‑CMK‑3/GCE。本发明还涉及一种高电活性修饰电极在半胱氨酸检测中的应用。有益效果：通过该方法制备的修饰电极，呈现5对氧化还原峰，表现出优异的电化学活性，制备方法简单、牢固。本申请制备的高电化学活性电极不仅能催化巯基的氧化，还能催化其氧化产物的还原，并且对半胱氨酸和谷胱甘肽产生了电化学氧化还原差别，可用于在高浓度谷胱甘肽存在条件下选择性识别半胱氨酸。此外，该方法实现了在较负电位范围内半胱氨酸检测，解决了传统电氧化方法检测半胱氨酸时存在多巴胺、抗坏血酸、尿酸等易氧化干扰物的影响问题。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 前沿新材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
