| 专利号 | 2022115049458 | 申请日 | 2022-11-29 | 专利名称 | 一种氮化物薄膜及其制备方法 |
| 授权日 | 2025-11-04 | 专利权人 | 鲁东大学 | 发明人 | 朱亚丹;卢太平;张立春;王美山;梁豆豆;贺文伟 |
| 主分类号 | H01L21/02 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种氮化物薄膜及其制备方法，属于半导体外延工艺技术领域，所述氮化物薄膜包括位于衬底上的缓冲层、位于缓冲层上交替沉积的重掺杂氮化物层与非故意掺杂氮化物层，重掺杂氮化物层具有粗糙表面结构，非故意掺杂氮化物层具有平坦表面结构。本发明的重掺杂氮化物层的粗糙结构能够引起位错的弯曲和终止，减少后续生长的外延膜中的位错密度，粗糙的重掺杂氮化物层也有利于应力释放，减少外延膜中的应力；非故意掺杂氮化物层的平坦表面具有较低的表面粗糙度，能够为后续外延膜的生长提供良好的生长表面。因此，本发明通过交替沉积的重掺杂氮化物层与非故意掺杂氮化物层能够减少后续生长的外延膜中的缺陷，有利于改善器件性能。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
