| 专利号 | 2024114875407 | 申请日 | 2024-10-24 | 专利名称 | 一种声表面波器件的制备方法及声表面波器件 |
| 授权日 | 2025-03-14 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 唐供宾;李明 |
| 主分类号 | H03H3/08 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种声表面波器件的制备方法及声表面波器件，涉及射频器件技术领域。本发明先在单晶硅或碳化硅的生长过程中掺杂深能级杂质，得到掺杂深能级杂质的掺杂硅或掺杂碳化硅，并将掺杂硅或掺杂碳化硅作为支撑衬底，然后在作为支撑衬底的掺杂硅或掺杂碳化硅上制备二氧化硅形成温补层，之后在温补层上制备压电单晶薄膜形成压电层，并在压电层上沉积叉指电极。本发明以同样电阻率的单晶硅或碳化硅为基础制备得到支撑衬底时，无需额外工艺，并提高了对寄生表面电导效应的抑制效果，则对于同等寄生表面电导效应的抑制效果需求，降低了对于单晶硅或碳化硅电阻率的要求，从而降低了单晶硅或碳化硅的生长工艺的要求，提高了适用性。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
