| 专利号 | 2018113319598 | 申请日 | 2018-11-09 | 专利名称 | 一种低介电、高强度多孔氮化硅陶瓷及其制备方法 |
| 授权日 | 2021-06-15 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 张柳;李庆刚;史国普;吴俊彦;王志;黄世峰;程新 |
| 主分类号 | H01B3/10 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种通过微观结构调控制备低介电、高强度的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺，包括如下步骤：凝胶的制备、坯体成型、坯体的干燥、坯体的排胶、坯体的烧结。本发明为了提高β‑Si3N4的转化率，在浆料中添加硼化锆促进α‑Si3N4向β‑Si3N4的转化，可以形成高长径比β‑Si3N4柱状晶相互搭接构成多孔氮化硅陶瓷的孔隙骨架，提高了其强度。本发明提供的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺成本低，工艺简单，所制得的多孔氮化硅陶瓷孔隙率高、低介电常数且力学性能好。孔隙率在≥50%，介电常数3.3±0.1，抗弯性能在99.89～131.67MPa。最终多孔氮化硅陶瓷微观结构如附图。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 智能电网产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
