| 专利号 | 2024105083076 | 申请日 | 2024-04-26 | 专利名称 | 基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件 |
| 授权日 | 2024-07-12 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔鹏;孙久继;韩吉胜;汉多科·林纳威赫;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L29/778 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件，属于半导体器件技术领域，自下而上依次包括衬底、缓冲层、GaN沟道层和势垒层，所述势垒层两侧GaN沟道层上方分别设置有源电极和漏电极，所述势垒层上方在源电极和漏电极之间依次设置有钝化层、栅电极和钝化层，所述栅电极下方与势垒层之间设置有In组分阶梯式变化的p‑InGaN栅极结构层。本发明将In组分阶梯式变化的材料应用于栅极结构，提高了栅下能带，降低了栅下二维电子气（2DEG）浓度，提高了器件的阈值电压，增强了器件的可靠性。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
