| 专利号 | 2023115476645 | 申请日 | 2023-11-20 | 专利名称 | 一种复相CsBr/Cs3Bi2Br3I6阵列薄膜的制备方法及其应用 |
| 授权日 | 2026-01-27 | 专利权人 | 山东理工大学 | 发明人 | 焦万丽;张鸿铭;张磊;赵振 |
| 主分类号 | C23C14/24 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种复相CsBr/Cs3Bi2Br3I6阵列薄膜的制备方法及其应用，涉及半导体技术领域。本发明具体过程如下：以溴化铯简单气相蒸镀法在叉指电极表面沉积CsBr微球，以碘化铋为反应原料，以N，N‑二甲基甲酰胺为溶剂，通过多次喷涂及热处理在CsBr微球上原位反应生长Cs3Bi2Br3I6阵列薄膜，该薄膜均匀多孔，Cs3Bi2Br3I6片状纳米晶垂直生长于CsBr微球表面和间隙中，CsBr微球直径为1‑3微米，Cs3Bi2Br3I6纳米片的厚度为50‑100纳米，与基底材料结合牢固，所制备的复相CsBr/Cs3Bi2Br3I6阵列薄膜对硫化氢气体表现出室温敏感性能。本发明与现有技术相比优点在于：制备工艺设计合理、大面积成膜均匀度高、可操作性强，室温下对H2S气体灵敏度高，长期稳定性好。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进有色金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
