| 专利号 | 2023110261045 | 申请日 | 2023-08-15 | 专利名称 | 一种高压倒装结构的紫外LED芯片及其制作方法 |
| 授权日 | 2023-10-17 | 专利权人 | 潍坊职业学院 | 发明人 | 贾诺;武传龙 |
| 主分类号 | H01L27/15 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于LED芯片技术领域，具体涉及一种高压倒装结构的紫外LED芯片，包括衬底和外延结构，外延结构由下到上依次为ALN缓冲层、N型ALGaN层、有源层、P型ALGaN层和P型GaN层，外延结构上设有隔离槽、N台面、N型接触电极、绝缘层、Ag反射电极、金属保护层、钝化层和焊盘电极。本发明还提供高压倒装结构的紫外LED芯片制作方法。本发明通过Ag反射电极和退火工艺，实现了Ag反射电极与P型GaN层的欧姆接触，并结合绝缘层，实现其在芯片表面的大面积覆盖，以保证对紫外光线的反射，在不制备透明导电层和DBR时，也能提高紫外LED芯片的光提取效率。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
