| 专利号 | 2020106399612 | 申请日 | 2020-07-06 | 专利名称 | 一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法 |
| 授权日 | 2021-09-24 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 张宇;韩琳 |
| 主分类号 | C23C16/509 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法，包括如下过程：将衬底放入PECVD的反应腔体内，面朝反应腔体内的射频电极，衬底与射频电极的距离保持在5‑25mm，抽真空；当反应腔体内真空度达到设定值时，通入氧气、六甲基硅氧烷和氮气，然后打开射频电源，开始在衬底上生长薄膜；当薄膜生长到期望的厚度时，关闭射频电源，然后停止通入反应气体，关闭真空泵；再通入氮气，当反应腔体内的压力达到大气压后，开启顶盖，取出生长好的薄膜，关闭顶盖；抽真空，然后通入四氟化碳气体，打开射频电源，对反应腔体进行清洗。本发明所公开的方法生长的薄膜具有很好的光学和电学特性，以及很好的致密性和机械柔性，可以作为很好的柔性薄膜封装材料。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
