| 专利号 | 2020112645262 | 申请日 | 2020-11-12 | 专利名称 | 二氧化锡/金属硫化物复合电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用 |
| 授权日 | 2022-07-19 | 专利权人 | 中国海洋大学 | 发明人 | 贺本林;姚欣鹏;提俊杰 |
| 主分类号 | H01L51/48 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了二氧化锡/金属硫化物复合电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用，具体是在制备二氧化锡时，向前驱液添加相应的金属盐与硫源化合物，一步原位复合得到二氧化锡/金属硫化物溶液，然后将其旋涂在导电玻璃上经低温退火制得复合电子传输层，接着沉积钙钛矿层、刮涂碳电极组装成钙钛矿太阳能电池。本发明在制备二氧化锡时原位复合金属硫化物，可钝化二氧化锡的缺陷态增加其电子迁移率，同时调节它的能带结构及引入中间能级提高与钙钛矿能级的匹配性，还可增加与钙钛矿层的界面接触并减少界面缺陷，实现高效稳定钙钛矿太阳能电池的制备。本发明制备工艺简单，反应条件温和，成本低，易于推广，具有商业化的应用前景。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 太阳能产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
