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专利号 2025103220567 申请日 2025-03-18 专利名称 一种被测功率半导体栅极可调电阻电路
授权日 2025-10-14 专利权人 哈尔滨工业大学(威海) 发明人 王大方;焦振辰;李琪;王天洋;胡钦杰;孙明阳;杨国淏;王九霄
主分类号 G01R31/26 关键词 应用领域
摘要 本申请提供一种被测功率半导体栅极可调电阻电路,包括两个单向导通的可调电阻模块,并联地设置于被测功率半导体的栅极与其栅极驱动器之间,且两个单向导通的可调电阻模块的导通方向相反;每个可调电阻模块导通时,在被测功率半导体的栅极与其栅极驱动器之间产生一个可调节电阻,该可调节电阻的阻值为序列[1×Rbase,2×Rbase,...,N×Rbase]中的任意一项,其中Rbase为基础电阻值;以及,该可调节电阻的寄生电感值小于等于寄生电感上限,且N×Rbase大于等于最大阻值下限。使用本申请提供的电路,能够在被测功率半导体栅极性能测试过程中各自独立且精确地对其开通回路电阻和关断回路电阻进行调节的同时有效控制寄生电感的影响。
创新点
技术分类 标 签 战兴产业 新能源产业    生物质能及其他新能源产业
运营方式 合作方式
联系人 联系电话 电子邮箱
详细说明
【关 闭】