| 专利号 | 2023116056203 | 申请日 | 2023-11-29 | 专利名称 | 一种半导体器件及其制造方法 |
| 授权日 | 2024-03-01 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 韩吉胜;陈曦冉;汉多科·林纳威赫;崔鹏;徐明升;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L29/78 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域,包括由下到上依次设置的漏电极、n型半导体衬底、n型半导体层和非均匀掺杂p型半导体层，其中，非均匀掺杂p型半导体层表面外侧设置有p型半导体区域，内侧设置有n型半导体区域，非均匀掺杂p型半导体层中间位置设置有栅极沟槽，栅极沟槽底部设置有n型反掺杂区，栅极沟槽底部中心设置有局部氧化层，栅极沟槽其余位置设置有栅极绝缘层，栅极沟槽内设置有栅电极，p型半导体区域和n型半导体区域上侧设置有源电极，源电极与栅电极之间设置有绝缘电介质。本发明能够承受沟槽底部的角栅氧化物上的高电场应力，并通过氧化工艺减小了米勒电容。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
