| 专利号 | 2024112963526 | 申请日 | 2024-09-18 | 专利名称 | 一种碳化硅功率器件及其制备方法和应用 |
| 授权日 | 2024-11-22 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔潆心;李树强;徐现刚;韩吉胜 |
| 主分类号 | H01L21/04 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种碳化硅功率器件及其制备方法和应用，本发明选用半绝缘碳化硅单晶为衬底，开展同质外延、器件制备、衬底剥离等工艺，达到半绝缘碳化硅单晶衬底重复利用的目的，降低碳化硅同质外延层的晶圆翘曲与应力，降低器件的导通电阻以及制造成本，推进碳化硅电力电子器件的大规模应用。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
