| 专利号 | 2024116035521 | 申请日 | 2024-11-12 | 专利名称 | 测量SiC MOSFET沟道近界面陷阱密度的方法 |
| 授权日 | 2025-03-07 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 钟宇;王天露;韩吉胜;徐明升;汉多科·林纳威赫;徐现刚 |
| 主分类号 | G01R31/26 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种测量SiC MOSFET沟道近界面陷阱密度的方法，属于半导体器件测试领域，包括：选择SiC MOSFET样品；使用参数分析仪进行标准交流电容测量以测试阳极和阴阳之间的电容；在多个正弦波的频率中选择出高参考频率和低参考频率；计算低参考频率下响应电荷密度与高参考频率下响应电荷密度的差异，以确定阈值以上区域活跃的近界面陷阱密度。本发明可无损表征影响SiC MOSFET沟道性能的近界面陷阱的密度，测试方法简单，能够为SiC MOSFET性能优化提供数据支持，提升器件性能及可靠性，还可帮助用户更便捷地比较和选择来自不同制造商的器件，且本方法适用于所有结构的SiC MOSFET。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 生物质能及其他新能源产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
