| 专利号 | 2024118031239 | 申请日 | 2024-12-10 | 专利名称 | 基于二次谐波增强的氮化镓器件富镓缺陷检测方法 |
| 授权日 | 2025-03-07 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 刘铎;杨伟远;何玉征 |
| 主分类号 | G01N21/65 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于二次谐波增强的氮化镓器件富镓缺陷检测方法，属于半导体检测技术领域，包括：在共聚焦拉曼成像显微镜的二次谐波模式下检测单晶氮化镓表面镓富集区域与非镓富集区域的二次谐波强度，只有镓富集区域产生二次谐波增强现象，以此作为镓富集区域的检测依据；氮化镓器件包括硅衬底及在硅衬底上外延生长的氮化镓薄膜，将硅衬底刻蚀暴露出部分氮化镓薄膜，对暴露的氮化镓薄膜整个区域进行二次谐波强度的扫描，若某处出现二次谐波增强现象，则判断该处具有镓富集区域，即缺陷区。本发明只需用共聚焦拉曼成像显微镜二次谐波模式对氮化镓表面进行二次谐波强度扫描即可识别出镓富集缺陷，实用性强，操作简便。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 新材料相关服务 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
