| 专利号 | 2020100665301 | 申请日 | 2020-01-20 | 专利名称 | 一种氧化钨单层纳米片及其制备方法与应用 |
| 授权日 | 2021-03-30 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 侯万国;王德良;李海平;杜娜 |
| 主分类号 | C01G41/02 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化钨单层纳米片及其制备方法与应用。本发明方法包括步骤：钨酸根或偏钨酸根阴离子插层LDHs复合物的制备；钨酸根或偏钨酸根阴离子插层LDHs复合物于200‑600℃下煅烧1‑4h，得WO3/MMO复合物；然后加入酸中，室温搅拌10‑15h，经过滤、洗涤、干燥得WO3·H2O单层纳米片。所获得的WO3·H2O单层纳米片可进一步于300‑450℃下低温煅烧0.5‑2h获得WO3单层纳米片。本发明制备方法操作简单、环境友好、易于工业化；所得氧化钨纳米片中的单层占比率高，解决了氧化钨单层纳米片大规模制备的技术难题；所制备得到的氧化钨纳米片具有良好的电催化析氢性能。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
