| 专利号 | 2016103085373 | 申请日 | 2016-05-10 | 专利名称 | 一种低应力高纯半绝缘SiC单晶的制备方法 |
| 授权日 | 2018-10-30 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 陈秀芳;徐现刚;彭燕;胡小波 |
| 主分类号 | C30B23/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种低应力高纯半绝缘SiC单晶的制备方法。该方法包括：高纯SiC粉料的合成和采用物理气相传输法进行晶体生长，在合成料和晶体生长过程中同时降低浅能级杂质浓度，对保温材料进行高温预处理，避免硼杂质融入；硅粉和碳粉原料放在有覆层的石墨坩埚中进行SiC合成；对得到的高纯SiC粉料进行预处理，下籽晶，抽真空，通入高纯氩气或者氩气和氢气的混合气体，进行晶体生长，然后快速降温增大点缺陷，再慢速降温至室温，消除应力。SiC晶体生长在平衡态下进行，制得的晶体应力小，微管密度小，晶体质量好，整片面积上电阻率在108Ω.cm以上。本方法设备投资小，安全性高，无污染。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
