| 专利号 | 2023104305008 | 申请日 | 2023-04-18 | 专利名称 | 一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法 |
| 授权日 | 2024-06-11 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔鹏;罗鑫;徐明升;崔潆心;钟宇;李汉和;李树强;韩吉胜;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L29/778 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法，属于微电子器件技术领域。膜层结构自下而上依次为衬底、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和帽层；金属电极穿过帽层生长在势垒层上。本发明在退火前增加了Asher+HCl循环处理这一步骤，通过氧气等离子处理和盐酸结合进行多次循环工艺，实现了低损伤、低刻蚀速率、刻蚀厚度可控的刻蚀技术，此外，Asher处理可以去除光刻显影后残留在表面的光刻胶，盐酸清洗可以去除GaN帽层表面形成的自然氧化物，从而保证金属电极与材料之间的直接接触，奠定退火后形成良好欧姆接触的基础。结果表明，随着Asher处理次数的增加，比接触电阻率呈线性下降。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
