| 专利号 | 2021108086142 | 申请日 | 2021-07-16 | 专利名称 | 基于Cu2O介质层生长单层单晶石墨烯的方法 |
| 授权日 | 2022-09-02 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 于法鹏;张雪;国星;孙丽;王鹏;李妍璐;赵显 |
| 主分类号 | C30B25/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于Cu2O介质层生长单层单晶石墨烯的方法，该方法将铜箔经预氧化和氢气处理后，在表面制备出一层薄Cu2O介质层，再以Cu2O介质层为基底进行生长石墨烯，使石墨烯生长机制由边缘附着限制变为扩散限制，可显著降低石墨烯的成核密度，同时相对于纯铜箔来说，Cu2O介质层能够减少碳原子的亚表面吸附，有效阻止第二层石墨烯的成核生长，保证单层单晶石墨烯生长。本发明的方法有效减少了铜箔晶界的数量，同时使其变为统一(111)晶面，平坦少晶界的铜箔表面为石墨烯的生长提供了良好的生长环境，同时Cu2O介质层可以降低石墨烯成核密度，加快其生长速度，同时显著抑制石墨烯第二层成核，便于大尺寸单层单晶石墨烯生长。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
